[发明专利]硅片重金属污染测试参考片的修复再生方法和相关修复再生溶液有效
| 申请号： | 201010523263.2 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102097291A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 包胜娟;吴丽萍 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，包括A溶液和D溶液，A溶液是30wt％的过氧化氢，D溶液是十二水硫酸铝钾在H2SO4中的溶解液，其中100mlH2SO4中溶解有0.15～0.21g十二水硫酸铝钾，还涉及一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，包括B溶液，B溶液是氟化氨和氢氟酸的混合液，其中1000ml氟化氨中混合有140～200ml氢氟酸，还涉及一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，包括C溶液，C溶液是氢氟酸的水溶液，其中1000ml水中加入有230～300ml氢氟酸，还提供了相关修复再生方法，本发明设计独特，操作简便，效果显著，能解决测试参考片污染后的再处理利用问题，充分满足正常测试使用，而且能够大大降低企业的测试和制造成本，适于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 重金属 污染 测试 参考 修复 再生 方法 相关 溶液 | ||
【主权项】：
一种硅片重金属污染测试参考片的修复再生溶液，其特征在于：包括A溶液和D溶液，所述A溶液是30wt％的过氧化氢，所述D溶液是十二水硫酸铝钾在H2SO4中的溶解液，其中100ml所述H2SO4中溶解有0.15～0.21g所述十二水硫酸铝钾。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
