[发明专利]利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法有效
| 申请号： | 201010523322.6 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102456403A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 秦石强;黄如;蔡一茂;唐粕人;唐昱;谭胜虎;黄欣;潘越 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。从而通过编程模式的改变实现四位存储的功能，使得这种器件在性能得到提升的同时，存储密度也有较大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 分裂 槽栅快 闪存 实现 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器基于平面结构，在沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和控制栅；沟道的两端与源、漏之间各有一个相同结构的沟槽，沟槽的一侧与沟道接触，另一侧与源或漏接触；在沟道区域形成分裂槽栅结构，沟道由中间的平面沟道和与沟槽对应的两个非平面沟道组成；由隧穿氧化层、氮化硅陷阱层和阻挡氧化层组成的栅堆栈结构和控制栅完全覆盖沟槽和沟道，控制栅有两个与沟槽对应的突出部；其特征在于，在两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。
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