[发明专利]一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶及其生长方法无效
| 申请号： | 201010523592.7 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101949061A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 任国浩;吴云涛;丁栋舟;潘尚可;杨帆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域，提供了一种稀土掺杂硼酸镥钪单晶的浮区法生长方法。本发明成功利用浮区法获得晶体质量较好的稀土掺杂硼酸镥钪单晶，该单晶的结构式为(Lu1-xScx)1-yMyBO3，其中：0.1≤x≤0.7，0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 硼酸 闪烁 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶，其特征在于，该单晶的化学式为(Lu1‑xScx)1‑yMyBO3，其中：0.1≤x≤0.7，0＜y≤0.1，M选自Ce、Pr、Eu、Tb或Yb中的一种或多种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010523592.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
