[发明专利]发光二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010523853.5 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101964385A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其形成方法，所述发光二极管的形成方法包括：分别提供半导体基底和蓝宝石基底，所述半导体基底上形成有第一键合层，所述蓝宝石基底上依次形成有牺牲层、发光二极管管芯和第二键合层；将所述第一键合层和第二键合层键合；去除所述牺牲层，将所述蓝宝石基底剥离。本发明增大了发光二极管的有效发光面积，改善了散热，提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的形成方法，其特征在于，包括：分别提供半导体基底和蓝宝石基底，所述半导体基底上形成有第一键合层，所述蓝宝石基底上依次形成有牺牲层、发光二极管管芯和第二键合层；将所述第一键合层和第二键合层键合；去除所述牺牲层，将所述蓝宝石基底剥离。
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