[发明专利]一种掺杂阱的制作方法

摘要

本发明涉及一种掺杂阱的制作方法，其特征在于：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成带有图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，向半导体衬底中进行第一次离子注入，形成第一阱；在光刻胶层上表面、与图案对应的半导体衬底和图案的内侧形成侧壁材料层，通过刻蚀去除覆盖在光刻胶层的上表面和与图案对应的半导体衬底上的侧壁材料层，以在图案的内侧形成侧壁层；以光刻胶层和侧壁层为掩膜，向半导体衬底中进行第二次离子注入，形成第二阱，第二阱的深度大于第一阱的深度；去除光刻胶层和侧壁层。本发明制作的掺杂阱呈离子深度梯度分布的形式，它具有增大结电容、电阻，提高抗击穿能力，并可以减小漏电流的产生的优点。本发明可广泛应用于半导体器件的制作工艺中。

主权项

一种掺杂阱的制作方法，其特征在于包括：‑ 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有带有图案的光刻胶层；‑ 以所述光刻胶层为掩膜，向所述半导体衬底中进行第一次离子注入，以形成第一阱；‑ 在所述光刻胶层中的图案的内侧形成侧壁层；‑ 以所述光刻胶层和所述侧壁层为掩膜，向所述半导体衬底中进行第二次离子注入，以形成第二阱，所述第二阱的离子注入深度大于所述第一阱的离子注入深度。