[发明专利]原位生长碳化钽晶须材料及其制备方法有效
申请号: | 201010525690.4 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102051676A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 黄传真;赵国龙;刘含莲;邹斌;崇学文;徐亮;刘战强;朱洪涛 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C30B27/00 | 分类号: | C30B27/00;C30B29/36;C30B29/62 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 李健康 |
地址: | 250100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及新材料技术领域,尤其是一种用于增韧补强结构陶瓷、高分子及金属基材料的原位生长碳化钽晶须材料及其制备方法。晶须生长的前驱体组份配比(重量比%)为:Ta2O575.6%-79.2%;C 14.4%-15.1%;NaCl 5.0%-5.2%;Ni 0.5%-5.0%;制备工艺为:按照比例配制晶须生长所需前驱体粉末,装入缸式球磨机中,用氧化铝球干球磨6小时,采用100目筛筛选粉料。将筛选后的粉料装入特制的石墨反应容器中,在升温速率为100℃/min、氩气气氛保护、温度为1350℃-1500℃下保温50min-80min并以20℃/min的冷却速率冷却至室温条件下原位合成碳化钽晶须材料;制备的晶须直径为0.5μm-1μm,长度为5μm-15μm,长径比为5-30。该晶须质量好、纯度高,生产设备及工艺简单、安全可靠,可用于高温结构陶瓷、高分子及金属基材料的增韧补强,具有较好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 原位 生长 碳化 钽晶须 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
原位生长碳化钽晶须材料,其特征在于原位生长碳化钽晶须的前驱体组份配比(重量比%)为:Ta2O5 75.6%‑79.2%;C 14.4%‑15.1%;NaCl 5.0%‑5.2%;Ni 0.5%‑5.0%。
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