[发明专利]太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺

摘要

本发明涉及一种太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺，所述的太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺主要为用含有少量清洗剂的低浓度水溶液先进行清洗晶硅硅片，去除硅片表面大部分在切片过程中残留的砂浆，再将硅片放入HF溶液中浸泡，去除硅片表面一定量的金属杂质，最后再用清水冲洗，进一步的洗净硅片，使硅片本面无残留，提高绒面质量。本发明工艺简单，操作方便，大大地节约了生产工艺成本，提高了清洗质量、清洗产量和清洗的灵活性。

主权项

一种太阳能电池晶硅硅片改良清水水洗工艺，其特征在于包括以下步骤：1)在水溶液中加入浓度为3％～8％的清洗剂3～8ml，将晶硅硅片放入所述的水溶液中去除硅片表面在切片过程中残留的砂浆；2)完成步骤1)的清洗后将晶硅硅片放入浓度为3％～8％的HF溶液中浸泡2～5分钟，以去除硅片表面的金属杂质；3)最后利用清水进行硅片的进一步清洗，使得硅片表面无残留。