[发明专利]一种钎焊铝碳化硅复合材料的中温钎料及制备和钎焊方法有效
| 申请号： | 201010526125.X | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101972901A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 吴茂;常玲玲;何新波;曲选辉;彭子榕;冯泽龙;雍玮娜;王维 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | B23K35/24 | 分类号： | B23K35/24;B23K35/26;B23K35/40;B23K1/00 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子封装领域，提供一种钎焊温度在450～510℃之间，用于连接SiCp/Al复合材料与可伐合金的钎料及其钎焊方法。本发明开发了一种钎焊温度在450～510℃之间的中温钎料，该中温钎料组分的质量百分含量为：Ag：30～50；Cu：5～15；Sn：35～60；Ni：0～3；用该钎料钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料与可伐合金，钎焊后外壳气密性优于1×10-9Pa·m3/S，剪切强度高于65MPa，满足国军标要求。特点在于将SiCp/Al复合材料在高于芯片的装片温度(430℃)，而低于SiCp/Al复合材料本身熔点的温度下进行钎焊。这保证了后续的芯片装片工艺能使用Au-Si共晶法(380～430℃)，进而保证封装的整体散热效果。SiCp/Al复合材料外壳主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钎焊 碳化硅 复合材料 中温钎 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钎焊铝碳化硅复合材料的中温钎料，其特征在于：该中温钎料组分的质量百分含量为：Ag：30～50；Cu：5～15；Sn：35～60；Ni：0～3；中温钎料的熔点范围在420～480℃之间，其相应的钎焊温度位于450～510℃之间；能够钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料和可伐合金，钎焊后外壳的气密性优于1×10‑9Pa·m3/S。
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