[发明专利]一种基于石墨烯的纳米尺度点光源阵列有效
申请号: | 201010526919.6 | 申请日: | 2010-10-30 |
公开(公告)号: | CN102034845A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 王卓;邓斯天;魏子钧;赵华波;魏芹芹;傅云义;黄如;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源的阵列,属于纳米尺度的发光装置。该点光源的阵列包括一衬底,在衬底上覆盖有一绝缘介质层、金属互连线埋于该介质层中,介质层上方为金属电极阵列,金属互连线连接金属电极阵列中的每个电极,在金属电极阵列上铺设一层石墨烯薄膜,在金属电极和石墨烯薄膜上施加一偏置电压;或者在金属电极阵列中两相邻电极上铺设一层石墨烯薄膜,在此相邻电极对之间施加一偏置电压。本发明制造工艺可与硅基加工技术兼容、集成度高,能大幅提高光源辐照范围和光强,可以作为显示阵列或者存储单元阵列,应用于高分辨率显示装置或信息存储系统。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 纳米 尺度 光源 阵列 | ||
【主权项】:
一种纳米尺度点光源阵列,其特征在于,包括一衬底,在衬底上覆盖有一绝缘介质层、金属互连线埋设于该介质层中,介质层上方为金属电极阵列,金属互连线连接金属电极阵列中的每个电极,在金属电极阵列上铺设一层石墨烯薄膜,金属电极阵列中每个电极和石墨烯薄膜构成一点光源单元,在金属电极和石墨烯薄膜上施加一偏置电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010526919.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全局的网络访问控制装置和网络设备
- 下一篇:工作辊分段冷却装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的