[发明专利]单面抛光的双面无蜡抛光工艺无效
| 申请号： | 201010527130.2 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102085635A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈国清 | 申请（专利权）人： | 江苏南晶红外光学仪器有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 213118 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15-25rpm，抛光压力为0.2-0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10-20rpm，抛光压力为0.3-0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。本发明的有益效果是：通过本工艺可以实现产品的批量化生产，且生产的成品平整度高，节省了工序，降低了操作难度以及劳动强度，提高了产量以及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单面 抛光 双面 工艺 | ||
【主权项】：
一种单面抛光的双面无蜡抛光工艺，其特征在于：将硅片放于游轮中，采用抛光盘对其双面进行粗抛，粗抛转速为15‑25rpm，抛光压力为0.2‑0.4Mpa；对粗抛后的硅片进行单面精抛，精抛转速为10‑20rpm，抛光压力为0.3‑0.5Mpa，精抛后的硅片进行清洗干燥，即完成。
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