[发明专利]具有对准标记的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010527199.5 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102254899A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 温明璋;王宪程;陈俊光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有对准标记的半导体结构及其形成方法。在一实施例的半导体结构中，多个栅极堆叠形成于半导体基板上并构成对准标记。多个掺杂结构形成于半导体基板中并位于每一栅极堆叠的两侧。多个通道区位于栅极堆叠下方，且通道区不具有任何通道掺质。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 标记 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有对准标记的半导体结构，其特征在于，包括：多个栅极堆叠，位于一半导体基板上并构成一对准标记；多个掺杂结构，位于每一该些栅极堆叠两侧的该半导体基板中；以及多个通道区位于该些栅极堆叠下方，且该些通道区不具有任何掺质。
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