[发明专利]一种沟槽式场效应管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010527476.2 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456736A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王颢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽式场效应管及其制备方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底、外延层、源掺杂区、沟道区、栅氧化层以及多晶硅栅，并在多晶硅栅与栅氧化层之间、水平方向位置处有一低介电常数的绝缘层。通过所述绝缘层的引入，有效减小了器件的栅-漏电容，大大缩短了MOS晶体管开关过程中对栅-漏电容的充放电时间，提高了MOS晶体管的开关速度，并降低其动态损耗，使器件性能有了很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式场效应管，包括：第一导电类型的半导体衬底以及覆盖其上表面的第一导电类型的外延层，位于外延层内的第一导电类型的源掺杂区和第二导电类型的沟道区，源掺杂区和沟道区包围的沟槽多晶硅栅，栅氧化层，用于连接外电极的源/漏/栅电极，其特征在于，在多晶硅栅与栅氧化层之间、水平方向位置处有一具有低介电常数的绝缘层，且该绝缘层与栅氧化层和沟槽多晶硅栅均相邻接触。
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