[发明专利]一种测量籽硅层厚度的方法无效
| 申请号： | 201010527486.6 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102456593A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黄锦才;梅慧婷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测量籽硅层厚度的方法，包括以下步骤：(1)在单晶硅衬底上生长一锗硅层；(2)在所述锗硅层上生长一硅覆盖层，并测量硅覆盖层厚度；(3)在所述硅覆盖层上生长一籽硅层；(4)测量所述硅覆盖层与所述籽硅层的总厚度，再减去步骤(2)中所述硅覆盖层的厚度，则得到所述籽硅层的厚度。本发明在非选择性锗硅外延生长工艺中测量在浅沟槽隔离结构区上沉积的籽硅层厚度，使厚度满足单晶硅区和浅沟槽隔离结构区生成单晶锗硅层和多晶锗硅层之间的连续性要求。同时，在保证测量精确性的基础上，简化了工艺步骤，不影响材料结构与特性，从而不影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 籽硅层 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种测量籽硅层厚度的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在单晶硅衬底上生长一锗硅层；(2)在所述锗硅层上生长一硅覆盖层，并测量硅覆盖层的厚度；(3)在所述硅覆盖层上生长一籽硅层；(4)测量所述硅覆盖层与所述籽硅层的总厚度，再减去步骤(2)中所述硅覆盖层的厚度，即得到所述籽硅层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
