[发明专利]物理气相沉积设备及磁控溅射方法有效
| 申请号： | 201010528478.3 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102453881A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王一帆 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种物理气相沉积设备，包括物理气相沉积腔室；靶材；脉冲电源；磁控管；下电极，所述下电极包括：卡盘，所述卡盘位于所述物理气相沉积腔室的底部并与所述靶材相对设置，放置待处理的晶片；下电极匹配器，所述下电极匹配器与所述卡盘相连接，所述下电极匹配器用于在所述脉冲电源所产生的相邻脉冲之间的时间间隔内进行阻抗匹配；下电极射频电源，所述下电极射频电源与所述下电极匹配器相连，用于将射频偏压施加至所述卡盘。本发明通过改进下电极匹配器工作方式，避免下电极匹配器反复调整，有利于下电极射频电源的能量全部传给等离子体腔室，相对延长了PVD设备自身寿命。本发明还公开了一种磁控溅射方法。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 设备 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括：物理气相沉积腔室；靶材，所述靶材设置在所述物理气相沉积腔室内部的顶侧；脉冲电源，所述脉冲电源与所述靶材相连接，用于将负压脉冲施加至所述靶材上；磁控管，所述磁控管位于所述靶材的上表面，用于提供磁场；下电极，所述下电极包括：卡盘，所述卡盘位于所述物理气相沉积腔室的底部并与所述靶材相对设置，所述卡盘用于放置待处理的晶片；下电极匹配器，所述下电极匹配器与所述卡盘相连，所述下电极匹配器用于在所述脉冲电源所产生的相邻脉冲之间的时间间隔内进行阻抗匹配；下电极射频电源，所述下电极射频电源与所述下电极匹配器相连，用于将射频偏压施加至所述卡盘。
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