[发明专利]多层堆栈结构的半导体元件

摘要

一种多层堆栈结构的半导体元件，包含：基板；第一导电层，形成在基板上且受激光刻划至第一导电层底面，以形成多个第一划线；第一组半导体材料层，形成在第一导电层上；第二组半导体材料层，形成在第一组半导体材料层上，第一组和第二组半导体材料层同时受激光刻划至第一组半导体材料层底面，以形成多个第二划线，各第二划线由多个第二孔洞组成；第二导电层，形成在第二组半导体材料层上且受激光刻划至第一组半导体材料层底面，以形成多个第三划线；第二孔洞经缩小，以缩小第一划线和第二划线之间及/或第二划线和第三划线之间的距离。

主权项

一种多层堆栈结构的半导体元件，其有效运作面积增加，其特征在于，该半导体元件包含：基板；第一导电层，其形成在基板上，该第一导电层经受激光刻划且刻划至第一导电层的底面并露出部分基板，以形成多个第一划线，每一个第一划线是由多个第一孔洞所组成，每一个第一孔洞是与相邻第一孔洞部分重叠；第一组半导体材料层以及第二组半导体材料层，该第一组半导体材料层是由至少一半导体材料层所组成且形成在第一导电层上，而该第二组半导体材料层是由至少一半导体材料层所组成且形成在第一组半导体材料层上，该第一组半导体材料层和该第二组半导体材料层同时经受激光刻划且刻划至第一组半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，以形成多个第二划线，每一个第二划线是由多个第二孔洞所组成；第二导电层，其形成在第二组半导体材料层上，该第二导电层经受激光刻划且刻划至第一组半导体材料层的底面并露出部分第一导电层，以形成多个第三划线，每一个第三划线是由多个第三孔洞所组成，每一个第三孔洞是与相邻第三孔洞部分重叠，其中第二孔洞经缩小，以缩小第一划线和邻近的第二划线之间的距离及/或第二划线和邻近的第三划线之间的距离，藉此增加半导体元件有效运作面积。