[发明专利]一种应用于Flash EEPROM的动态参考源电路无效

专利信息
申请号: 201010528815.9 申请日: 2010-11-02
公开(公告)号: CN102456405A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 夏天;傅志军;顾明;刘晶 申请(专利权)人: 上海华虹集成电路有限责任公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 代理人: 曹立维
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种应用于Flash EEPROM的动态参考源电路。采用在存储阵列中设置一组参考单元的实现方式,使得在存储芯片应用过程中,感知窗不随数据保持及编程/擦除次数而发生显著变化。动态参考源电路包含参考单元阵列和参考单元译码电路。参考单元与普通单元共存于存储阵列中。参考单元译码电路根据芯片操作单元提供的操作地址,译码选中正确的操作单元。上述Flash EEPROM的动态参考源电路能有效地跟踪存储阵列内存储单元的阈值漂移,提高芯片性能的稳定性和可靠性。
搜索关键词: 一种 应用于 flash eeprom 动态 参考 电路
【主权项】:
一种应用于Flash EEPROM的动态参考源电路,其特征在于:包含参考单元和参考单元译码电路。
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