[发明专利]有源像素单元及在基板上形成有源像素单元的方法有效

专利信息
申请号: 201010529469.6 申请日: 2010-10-29
公开(公告)号: CN102237382A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 萧茹雄;郑乃文;林仲德;曾建贤;伍寿国 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了有源像素单元结构及其制造方法,以利于降低有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量。在形成有源像素单元结构的工艺中基板上产生了应力,而此应力导致了有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量的增加。通过沉积具有反抵于上述产生的应力的一应力层以作为前金属介面层的一部分,可降低了上述的暗态漏电流与白单元数量。当有源像素单元内的晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管时,可通过一拉伸应力层而增加了其载流子迁移率。在沉积上述应力层之前,可使用拉曼光谱以测量施加于基板上的应力。本发明可降低有源像素单元的暗态漏电流与白单元数量。
搜索关键词: 有源 像素 单元 基板上 形成 方法
【主权项】:
一种有源像素单元,位于一基板之上,包括:一浅沟槽隔离结构;一感光二极管,邻近该浅沟槽隔离结构,其中早于沉积一前金属介电层之前由于基板制造工艺所造成的一第一应力增加了该有源像素单元的一感光二极管的暗态漏电流与白单元数量;一晶体管,其中该晶体管控制该有源像素单元的操作;以及一应力层,沉积于该有源像素单元的多个元件之上,其中所述多个元件包括该感光二极管、该浅沟槽隔离结构与该晶体管,其中该应力层具有一第二应力反抵于施加于该基板上的该第一应力,而其中该第二应力降低了起因于该第一应力的该暗态漏电流与该白单元数量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010529469.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top