[发明专利]有源像素单元及在基板上形成有源像素单元的方法有效
申请号: | 201010529469.6 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102237382A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 萧茹雄;郑乃文;林仲德;曾建贤;伍寿国 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了有源像素单元结构及其制造方法,以利于降低有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量。在形成有源像素单元结构的工艺中基板上产生了应力,而此应力导致了有源像素单元内的暗态漏电流与白单元数量的增加。通过沉积具有反抵于上述产生的应力的一应力层以作为前金属介面层的一部分,可降低了上述的暗态漏电流与白单元数量。当有源像素单元内的晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管时,可通过一拉伸应力层而增加了其载流子迁移率。在沉积上述应力层之前,可使用拉曼光谱以测量施加于基板上的应力。本发明可降低有源像素单元的暗态漏电流与白单元数量。 | ||
搜索关键词: | 有源 像素 单元 基板上 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种有源像素单元,位于一基板之上,包括:一浅沟槽隔离结构;一感光二极管,邻近该浅沟槽隔离结构,其中早于沉积一前金属介电层之前由于基板制造工艺所造成的一第一应力增加了该有源像素单元的一感光二极管的暗态漏电流与白单元数量;一晶体管,其中该晶体管控制该有源像素单元的操作;以及一应力层,沉积于该有源像素单元的多个元件之上,其中所述多个元件包括该感光二极管、该浅沟槽隔离结构与该晶体管,其中该应力层具有一第二应力反抵于施加于该基板上的该第一应力,而其中该第二应力降低了起因于该第一应力的该暗态漏电流与该白单元数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的