[发明专利]二次电池和制造该二次电池的方法无效
| 申请号： | 201010530257.X | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102054957A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安昶范;崔圭吉;申政淳 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M2/26 | 分类号： | H01M2/26;H01M2/30;H01M4/02;H01M10/04;B23K26/42;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;王诚华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二次电池和一种制造该二次电池的方法。一种二次电池包括通过卷绕包括正极非涂覆部分的正极板、包括负极非涂覆部分的负极板以及该正、负极板之间的隔板而形成的电极组件。所述正极非涂覆部分中的部分和所述负极非涂覆部分中的部分被移除，以分别在所述电极组件的第一端和第二端形成正极接线片和负极接线片。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二次电池包括：通过卷绕包括正极非涂覆部分的正极板、包括负极非涂覆部分的负极板以及该正极板、负极板之间的隔板而形成的电极组件，其中所述正极非涂覆部分中的部分和所述负极非涂覆部分中的部分被移除，以分别在所述电极组件的第一端和第二端形成正极接线片和负极接线片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010530257.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
