[发明专利]常态关闭的氮化镓场效应管有效
| 申请号： | 201010530419.X | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102074576A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 安荷·叭剌;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/788;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种HFET的氮化镓半导体功率器件，包括：两种不同带隙的第一半导体层与第二半导体层相交界，从而产生一个2DEG层的交界层。该功率器件还包括一个源极电极和一个漏极电极，位于栅极电极的两个对边上，栅极电极设置在异质结结构上方，用于控制2DEG层中源极和漏极电极之间的电流。该功率器件还包括一个位于栅极电极和异质结结构之间的浮栅，其中栅极电极通过一个绝缘层，与浮栅绝缘，其中浮栅设置在一个薄绝缘层上方，同异质结结构之间垫有薄绝缘层，浮栅充有电荷，在2DEG层上持续加载电压，以夹断源极和漏极电极之间2DEG层中的电流，使HFET半导体功率器件为一个常态关闭器件。 | ||
| 搜索关键词： | 常态 关闭 氮化 场效应 | ||
【主权项】：
一种异质结场效应管的氮化镓半导体功率器件，其特征在于，包含：一个异质结结构，包括两种不同带隙的相交界的第一半导体层与第二半导体层，从而产生一个二维电子气层的交界层；一个源极电极和一个漏极电极，设置在栅极电极的两个对边上，栅极电极设置在所述的异质结结构上方，用于控制所述的二维电子气层中源极和漏极电极之间的电流；以及一个位于栅极电极和异质结结构之间的浮栅，其中所述的栅极电极通过一个绝缘层，与所述的浮栅绝缘，其中所述的浮栅设置在一个薄绝缘层上方，薄绝缘层垫衬在浮栅与同异质结结构之间，并且其中所述的浮栅充有电荷，以便对所述的二维电子气层持续加载电压，以夹断在所述的二维电子气层中流动的所述的源极和漏极电极之间的电流，使所述的异质结场效应管的半导体功率器件为一个常态关闭器件。
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