[发明专利]基板的处理方法、程序和计算机存储介质有效
申请号: | 201010530496.5 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102103988A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 丹羽崇文;京田秀治;本武幸一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供基板的处理方法、程序和计算机存储介质,在将双重图案化中第二次的抗蚀剂液的供给量控制为少量,并在基板上形成规定的抗蚀剂图案。在形成有被处理膜(F)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜(R1)(图7(b))。之后,有选择地将第一抗蚀剂膜(R1)曝光、显影从而形成第一抗蚀剂图案(P1)(图7(c))。之后,在第一抗蚀剂图案(P1)的表面(P1a)涂敷醚类表面改性剂,将该表面(P1a)改性(图7(d))。之后,在形成有第一抗蚀剂(P1)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第二抗蚀剂膜(R2)(图7(e))。之后,有选择地将第二抗蚀剂膜(R2)曝光、显影从而在与第一抗蚀剂图案(P1)相同的层形成第二抗蚀剂图案(P2)(图7(f))。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 程序 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种基板的处理方法,用于在基板上形成抗蚀剂图案,该基板的处理方法的特征在于,包括:第一图案化工序,在基板上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜后,有选择地将该第一抗蚀剂膜曝光、显影从而形成第一抗蚀剂图案;表面改性工序,在所述第一图案化工序之后,在所述第一抗蚀剂图案的表面涂敷醚类表面改性剂,对该表面进行改性;和第二图案化工序,在所述表面改性工序后,在形成有所述第一抗蚀剂图案的基板上涂敷抗蚀剂液形成第二抗蚀剂膜,之后有选择地将该第二抗蚀剂膜曝光、显影从而在与所述第一抗蚀剂图案相同的层形成第二抗蚀剂图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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