[发明专利]一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护作用，该低噪声放大器正常工作时，功率增益为13分贝，噪声系数为2.6分贝，且功耗为6.5毫瓦输入回波损耗为13分贝。本发明具有的静电防护水平高达0.8～0.9安培，传输线脉冲电流为1.4安培。本发明功耗低，静电防护能力强，噪声、增益和输入输出匹配良好。

主权项

一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器，其特征在于：该放大器包括输入端(RFIN)、输出端(RFOUT)、第一偏置电压(VBIAS1)、第二偏置电压(VBIAS2)、电源端(VDD)、地端(GND)、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第一MOS管(SOIM1)、第二MOS管(SOIM2)、第一电阻(R1)、第一电感(Lg)、第二电感(Ld)、第三电感(Ls)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第一二级管(D1)、第二二级管(D2)、第三二级管(D3)、第四二级管(D4)、第五二级管(D5)、第六二级管(D6)、第七二级管(D7)和第八二级管(D8)，具体连接方式为：第一晶体管(Q1)的集电极与第四二级管(D4)的负极以及第二晶体管(Q2)的基极相连、基极与第二晶体管(Q2)的集电极相连、发射极与第二二级管(D2)的负极以及第三二级管(D3)的正极相连；第二晶体管(Q2)的发射极与地端(GND)相连；第一MOS管(SOIM1)的栅极与第一偏置电压(VBIAS1)相连、漏极和第二电感(Ld)以及第一电容(C1)相连、源极与第二MOS管(SOIM2)的漏极相连；第二MOS管(SOIM2)栅极与第一电阻(R1)、第一电感(Lg)以及第三电容(C3)相连、源极与第三电容(C3)以及第三电感(Ls)相连；第一电阻(R1)另一端接第二偏置电压(VBIAS2)；第一电感(Lg)另一端与输入端(RFIN)相连；第二电感(Ld)另一端接电源端(VDD)；第三电感(Ls)另一端接地端(GND)；第一电容(C1)另一端接输出端(RFOUT)；第二电容(C2)跨接在输出端(RFOUT)和地端(GND)之间；第四电容(C4)跨接在电源端(VDD)和地端(GND)之间；第一二级管(D1)负极与电源端(VDD)相连、正极与地端(GND)相连；第二二级管(D2)正极与电源(VDD)相连；第三二级管(D3)负极与第四二级管(D4)正极相连；第五二级管(D5)负极与电源端(VDD)相连、正极与输入端(RFIN)相连；第六二级管(D6)负极与输入端(RFIN)相连、正极与地端(GND)相连；第七二级管(D7)负极与电源端(VDD)相连、正极与输出端(RFOUT)相连；第八二级管(D8)负极与输出端(RFOUT)相连、正极与地端(GND)相连。