[发明专利]一种平面相变存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201010531375.2 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054934A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张加勇;王晓峰;马慧莉;程凯芳;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层；再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano-gap电极；淀积一层绝缘材料，在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面相变存储器的制备方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；步骤2：用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；步骤3：在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；步骤4：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；步骤5：用湿法腐蚀的方法去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；步骤6：采用光刻或电子束光刻+薄膜淀积+剥离工艺在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；步骤7：再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层，将相变材料侧墙和金属包裹在其中；步骤8：再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano‑gap电极；步骤9：最后淀积一层绝缘材料，再在nano‑gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器。
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