[发明专利]形成双镶嵌结构的方法、半导体器件有效
| 申请号： | 201010532035.1 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102468218A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种形成双镶嵌结构的方法、半导体器件，形成双镶嵌结构的方法，包括：提供基底，所述基底上依次形成有第一介质层和掺氮碳化硅层；在所述掺氮碳化硅层上形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层上形成第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于3.5；刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连沟槽和互连通孔；在所述互连沟槽和互连通孔内填充金属，形成双镶嵌结构。本发明可以克服第二介质层与掺氮碳化硅层发生层裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 镶嵌 结构 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上依次形成有第一介质层和掺氮碳化硅层；在所述掺氮碳化硅层上形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层上形成第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于3.5；刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连沟槽和互连通孔；在所述互连沟槽和互连通孔内填充金属，形成双镶嵌结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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