[发明专利]NMOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201010532047.4 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102468163A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;卢炯平;陈志豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的NMOS晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以所述栅极介电层和所述栅极为掩模，对所述半导体衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；在非晶化区域内形成源/漏区，且在形成源/漏区期间在所述栅极内注入氟离子和磷离子；在所述源/漏区上施加压应力层；对所述源/漏区和所述栅极进行离子激活处理；去除所述压应力层。本发明在栅极中注入氟离子，然后使氟离子进入栅极介电层，氟离子取代栅极介电层中的部分氧离子形成氟硅基团，提高了栅极介电层和半导体衬底间的界面品质，从而改善了NMOS晶体管的热载流子注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以所述栅极介电层和所述栅极为掩模，对所述半导体衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；在非晶化区域内形成源/漏区，且在形成源/漏区期间在所述栅极内注入氟离子和磷离子；在所述源/漏区上施加压应力层；对所述源/漏区和所述栅极进行离子激活处理；去除所述压应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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