[发明专利]栅介质层和晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201010532616.5 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468152A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅介质层和晶体管的制作方法，所述栅介质层的制作方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行清洗；在清洗后的半导体衬底上形成界面氧化层；在所述界面氧化层上形成高K介质层。本发明的方法提高了界面氧化层与半导体衬底之间的附着力，改善了界面氧化层的均匀性和致密性，减小了半导体衬底和最终形成的晶体管的热预算，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅介质层的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行清洗；在清洗后的半导体衬底上形成界面氧化层；在所述界面氧化层上形成高K介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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