[发明专利]氧化铟锡溅射靶和使用该溅射靶制备的透明导电膜无效
| 申请号： | 201010532678.6 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102051587A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 姜信赫;崔畯皓;高榥庸;郑相澈 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 氧化铟锡溅射靶包括氧化铟、氧化锡和镓。锡原子的含量是铟和锡原子总量的5至15原子％，且镓原子的含量是铟、锡和镓原子总量的0.5至7原子％。制备氧化铟锡透明导电膜的方法，包括通过对所述溅射靶溅射以沉积所述透明导电膜。具有高耐受性的所述氧化铟锡透明导电膜可通过以下步骤制备：在第一温度下对所述溅射靶溅射以沉积非结晶透明导电膜，用弱酸蚀刻以将所述沉积的非结晶透明导电膜图案化，和在高于所述第一温度的第二温度下结晶所述图案化的非结晶透明导电膜。结晶温度在150℃至210℃范围内，或在170℃至210℃范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 溅射 使用 制备 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种氧化铟锡溅射靶，包括氧化铟、氧化锡和镓，其中锡原子的含量为铟和锡原子总量的5至15原子％，且其中镓原子的含量为铟、锡和镓原子总量的0.5至7原子％。
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