[发明专利]用于GaN发光二极管的激光尖脉冲退火有效
| 申请号： | 201010533083.2 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102110748A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | A·M·霍利鲁克;王耘 | 申请（专利权）人： | 超科技公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/32;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)中进行激光尖脉冲退火(LSA)的方法以及用LSA形成的GaN LED。示例性方法包含在基底顶上形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构。该方法还包含通过令激光束在该p-GaN层上扫描进行LSA。该方法还包含在该GaN多层结构顶上形成透明导电层，并添加p-接触到透明导电层和n-接触到n-GaN层。得到的GaN LED有增强的输出功率、较低的导通电压和降低的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 发光二极管 激光 脉冲 退火 | ||
【主权项】：
一种形成氮化镓GaN发光二极管LED的方法，包括：在基底顶上形成有当中夹入激活层的n‑GaN层和p‑GaN层的GaN多层结构；通过令激光束在该p‑GaN层上扫描以进行激光尖脉冲退火LSA；在该GaN多层结构顶上形成透明导电层；和添加p‑接触到该透明导电层和添加n‑接触到该n‑GaN层。
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