[发明专利]相变随机存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201010534177.1 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468429A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 任万春;向阳辉;张彬;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变随机存储器的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层内填充有GST相变材料；在所述第二绝缘层和GST相变材料上沉积低温氧化层；图案化所述低温氧化层，以形成覆盖所述GST相变材料的图案化的低温氧化层；在所述第二绝缘层和图案化的低温氧化层上依次沉积氮化硅层和第三绝缘层；依次刻蚀所述第三绝缘层和氮化硅层，以完全暴露出图案化的低温氧化层，形成刻蚀孔；移除所述刻蚀孔内的图案化的低温氧化层；在所述刻蚀孔内形成上电极。本发明采用依次沉积低温氧化层和氮化硅层做为阻挡层，湿法刻蚀时低温氧化层与GST相变材料之间的刻蚀选择比大于15，避免了GST损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层内填充有GST相变材料；在所述第二绝缘层和GST相变材料上沉积低温氧化层；图案化所述低温氧化层，以形成覆盖所述GST相变材料的图案化的低温氧化层；在所述第二绝缘层和图案化的低温氧化层上依次沉积氮化硅层和第三绝缘层；依次刻蚀所述第三绝缘层和氮化硅层，以完全暴露出图案化的低温氧化层，形成刻蚀孔；移除所述刻蚀孔内的图案化的低温氧化层；在所述刻蚀孔内形成上电极。
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