[发明专利]介电陶瓷组合物及具有该组合物的多层陶瓷电容器

摘要

本发明提供了一种介电陶瓷组合物及利用该组合物的多层陶瓷电容器。该介电陶瓷组合物包括由组合物式Bam(Ti1-xZrx)O3表示的基粉及第一附加组分至第五附加组分，其中，0.995≤m≤1.010且0＜x≤0.10。具有该介电陶瓷附加组分的多层陶瓷电容器具有高介电常数及优异的高温可靠性。

主权项

一种介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包括：基粉，由组合物式Bam(Ti1‑xZrx)O3表示，其中，0.995≤m≤1.010且0＜x≤0.10；第一附加组分，为包括Mg、Sr、Ba和Zr中的至少一种金属的氧化物或碳氧化物，第一附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至6.00mol的范围内；第二附加组分，为包括Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种金属的氧化物，第二附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.20mol至3.00mol的范围内；第三附加组分，为包括Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种金属的氧化物，第三附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至0.50mol的范围内；第四附加组分，为包括V、Nb和Ta中的至少一种金属的氧化物，第四附加组分中金属的含量在每100mol的基粉0.05mol至0.35mol的范围内；第五附加组分，为包括Si和Al中的至少一种的氧化物，第五附加组分中Si和/或Al的含量在每100mol的基粉0.50mol至4.00mol的范围内。