[发明专利]太阳能电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201010535766.1 申请日: 2010-11-04
公开(公告)号: CN102064211A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;吴振诚;梁硕玮;陈人杰;赖忠威;陈宗保 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面,且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面,其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式,且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上,且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:一结晶半导体基底,具有一第一表面与一第二表面,其中该结晶半导体基底具有一第一掺杂型式;一第一结晶半导体层,设置于该结晶半导体基底的该第一表面,其中该第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式,且该第二掺杂型式相反于该第一掺杂型式;一非晶半导体层,设置于该第一结晶半导体层上,其中该非晶半导体层具有该第二掺杂型式;一第一金属电极层,设置于该非晶半导体层上;以及一第二金属电极层,设置于该结晶半导体基底的该第二表面。
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