[发明专利]太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201010535766.1 | 申请日: | 2010-11-04 |
公开(公告)号: | CN102064211A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 刘致为;何伟硕;陈彦瑜;古峻源;吴振诚;梁硕玮;陈人杰;赖忠威;陈宗保 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面,且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面,其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式,且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上,且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:一结晶半导体基底,具有一第一表面与一第二表面,其中该结晶半导体基底具有一第一掺杂型式;一第一结晶半导体层,设置于该结晶半导体基底的该第一表面,其中该第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式,且该第二掺杂型式相反于该第一掺杂型式;一非晶半导体层,设置于该第一结晶半导体层上,其中该非晶半导体层具有该第二掺杂型式;一第一金属电极层,设置于该非晶半导体层上;以及一第二金属电极层,设置于该结晶半导体基底的该第二表面。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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