[发明专利]空气桥式纳米器件的制备方法无效
| 申请号： | 201010536167.1 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102001622A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡洪冰;张琨;于欣欣;潘楠;王晓平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种空气桥式纳米器件的制备方法，该方法提供衬底，在所述衬底上有多个不连续的、沿着所述衬底的表面延伸的、横截面形状为半圆形的纳米支撑体，将带有多个纳米缝隙的掩膜覆盖在所述纳米支撑体上，在所述掩膜的纳米缝隙处沉积纳米导电材料，移除所述纳米支撑体和掩膜，得到空气桥式纳米器件。与现有技术相比，无需利用物理方法通过实现衬底的形变来实现纳米材料的形变，本发明工艺简单，并且可以通过调控纳米支撑体的大小来调控最终形成的空气桥结构的大小，因此，可以很好的控制纳米器件的形貌特征，制备的纳米器件有很好的形貌均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 纳米 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种空气桥式纳米器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上有多个不连续的、沿着所述衬底的表面延伸的纳米支撑体，所述纳米支撑体的横截面形状为半圆形；提供带有多个纳米缝隙的掩膜；将所述掩膜覆盖在所述衬底上的纳米支撑体上；在所述掩膜的纳米缝隙处沉积纳米导电材料，所述纳米导电材料同时沉积在所述多个纳米支撑体的表面和相邻的纳米支撑体之间的衬底上，移除所述纳米支撑体和掩膜，得到空气桥式纳米器件。
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