[发明专利]通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法有效
| 申请号： | 201010536310.7 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102054483A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | L·袁;J·X·申;G·W·安德尔森;C·英 | 申请（专利权）人： | 西部数据(弗里蒙特)公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文涉及通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法。公开了制造穿隧磁阻(TMR)读取头的方法。本发明提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。在所述TMR结构上进行第一热退火工艺。在所述TMR结构上进行读取头图案限定工艺以得到图案化的TMR读取头。在所述图案化的TMR结构上进行第二热退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 图案 晶片 退火 改善 读取 稳定性 写入 头盖 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种制造穿隧磁阻即TMR读取头的方法，所述方法包括：提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构；在所述TMR结构上进行第一热退火工艺；在所述TMR结构上进行读取头图案限定工艺以得到图案化的TMR读取头；和在所述图案化的TMR读取头上进行第二热退火工艺。
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