[发明专利]真空渗碳处理方法和真空渗碳处理装置有效

专利信息
申请号: 201010537562.1 申请日: 2008-03-05
公开(公告)号: CN101967622A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 胜俁和彦 申请(专利权)人: 株式会社IHI
主分类号: C23C8/22 分类号: C23C8/22;C21D1/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 高旭轶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及真空渗碳处理方法和真空渗碳处理装置。在扩散工序和淬火工序之间进行以下工序:正火工序,即对被处理物的温度交替多次重复进行从第1温度至规定温度的降温处理和保温处理的逐步冷却,以使温度履历满足规定条件;正火后保持工序,即正火工序之后,通过在规定时间保温以便整个上述被处理物达到规定温度,使被处理物的结晶颗粒微细化;和再加热工序,即在正火后保持工序之后,使被处理物的温度上升至第2温度。根据本发明,即使在通过提高处理温度迅速进行渗碳和扩散来缩短处理时间的场合,也可以在谋求因高温处理引起的被处理物的表面和内部之间的温度均匀化的同时改善结晶颗粒的肥大化,得到具有规定的物性值的被处理物。
搜索关键词: 真空 渗碳 处理 方法 装置
【主权项】:
一种真空渗碳处理方法,该方法在预热工序中,使加热室内的被处理物的温度为第1温度,在渗碳工序中,将上述加热室内减压到极低气压状态,由该状态将渗碳性气体提供到上述加热室内,对上述被处理物渗碳,在扩散工序中,停止提供上述渗碳性气体,使碳从上述被处理物的表面向内部扩散,在淬火工序中,使上述被处理物的温度为第2温度,在该状态下进行急冷,其特征在于,在上述扩散工序和上述淬火工序之间进行:正火工序,即对上述被处理物的温度交替多次重复进行从上述第1温度至600℃以下的降温处理和保温处理的逐步冷却,以使温度履历满足规定条件;正火后保持工序,即上述正火工序之后,通过10分钟保温以使上述被处理物整体达到上述600℃以下,使上述被处理物的结晶颗粒微细化;和再加热工序,即在上述正火后保持工序之后,将上述被处理物的温度上升至上述第2温度。
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