[发明专利]一种单片集成SiC MEMS压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010537800.9 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102062662A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 唐伟;陈哲;郑百祥;刘雷;张海霞 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成SiC MEMS压力传感器及其制备方法。该压力传感器包括嵌置了CMOS处理电路的第一衬底、开有压力腔的第二衬底和两衬底之间的电容感应薄膜；该薄膜由两层PECVD SiC薄膜夹上电极组成，悬浮于压力腔上；压力腔表面覆盖有下电极；压力腔上方的第一衬底部分开有深槽，露出上层的PECVD SiC薄膜；CMOS处理电路位于深槽的旁边，并与上电极接通。该传感器以低温淀积的SiC作为感应薄膜，器件性能好且适用于腐蚀性环境。同时，本发明采用post-CMOS方法加工，实现了传感器与处理电路的集成，从而提高了器件的整体精度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 sic mems 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单片集成SiC MEMS压力传感器，包括第一衬底、CMOS处理电路、电容感应薄膜、第二衬底和下电极，其中：在第二衬底上开有压力腔；压力腔表面覆盖有下电极；电容感应薄膜覆盖在第二衬底的上表面，悬浮于压力腔上，该薄膜由两层PECVD SiC薄膜夹一金属层组成，所述金属层为上电极；第一衬底位于电容感应薄膜之上，第一衬底在压力腔的上方开有深槽，露出上层的PECVD SiC薄膜；CMOS处理电路嵌置于第一衬底的下表面，位于深槽的旁边，并与上电极接通。
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