[发明专利]Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201010538262.5 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102030310A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 师文生;刘海龙;佘广为;凌世婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl2的乙醇溶液中浸泡，取出后自然晾干，再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，并放入管式炉的中心；向管式炉中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为70Pa；将管式炉加热到温度为750℃，在温度为750℃下保温300分钟，在单晶硅基片上面得到Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列。本发明的制备方法简单易行，所制备的Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列在基于Si纳米线的红外探测器、太阳能光伏器件、电子自旋器件方面具有巨大的潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | si mn sub 27 47 结构 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)采用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列；2)将步骤1)得到的表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl2的乙醇溶液中浸泡，取出后晾干；3)将步骤2)晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，再将氧化铝瓷舟放入管式炉的中心；向管式炉中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为70Pa；将管式炉加热到温度为750℃，在温度为750℃下保温300分钟，在单晶硅基片上面得到Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列。
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