[发明专利]磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法有效
| 申请号： | 201010538417.5 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102465268A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 文莉辉;夏威 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种磁控源，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材上方；和扫描机构，所述扫描机构与磁控管相连以控制所述磁控管围绕所述靶材的中心转动，且所述扫描机构以预设步长阶段性地调整所述磁控管的转动半径，其中，在每个阶段所述扫描机构控制所述磁控管的转动圈数和/或转速以在所述每个阶段对所述靶材刻蚀至预设深度。用户可以通过本发明中对磁控管运动方式的控制实现对磁控管运行轨迹的灵活控制，进而提高靶材利用率和金属离化率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控源 磁控溅射 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控源，其特征在于，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材上方；和扫描机构，所述扫描机构与磁控管相连以控制所述磁控管围绕所述靶材的中心转动，且所述扫描机构以预设步长阶段性地调整所述磁控管的转动半径，其中，在每个阶段所述扫描机构控制所述磁控管的转动圈数和/或转速以在所述每个阶段对所述靶材刻蚀至预设深度。
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