[发明专利]太阳能电池无效
申请号: | 201010539118.3 | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102074593A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 池光善;李宪民;崔元硕;崔正薰;梁贤真 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;汤俏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了太阳能电池。该太阳能电池包括:含有第一导电类型的第一杂质的基板;含有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二杂质的射极层;电连接到射极层的第一电极;以及电连接到基板的第二电极。射极层和基板形成p-n结。射极层的第二杂质的掺杂浓度根据在射极层内的位置的深度而线性地或非线性地变化。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:晶体基板,该晶体基板含有第一导电类型的第一杂质;第一非晶层,该第一非晶层含有第二导电类型的第二杂质,所述第一非晶层具有包括第一浓度的所述第二杂质的第一部分、和包括第二浓度的所述第二杂质的第二部分,所述第二部分与所述晶体基板的最小距离大于所述第一部分与所述晶体基板的最小距离,所述第二浓度大于所述第一浓度;第一电极;以及电连接到所述第一非晶层并与所述第一电极电绝缘的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的