[发明专利]包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法无效
| 申请号： | 201010539266.5 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102049578A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 山下和贵;熊谷俊昭 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | B23H5/00 | 分类号： | B23H5/00;B23H7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法。本发明的一种方法，是包含Cu-Ga合金的溅射靶的制造方法，通过电火花线加工，将Cu-Ga合金锭切断成想得到的溅射靶的厚度，对得到的Cu-Ga合金切断片的面中的至少成为溅射面的平面进行粗研磨，通过电火花线加工，将得到的粗研磨后的切断片切断，加工成溅射靶的形状，接着，将溅射靶形状的切断片的成为溅射面的平面进研磨至期望的表面平滑度。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 cu ga 合金 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
包含Cu‑Ga合金的溅射靶的制造方法，其特征在于，通过电火花线加工，将Cu‑Ga合金锭切断成想得到的溅射靶的厚度，对得到的Cu‑Ga合金切断片的面中的至少成为溅射面的平面进行粗研磨，利用电火花线加工，将得到的粗研磨后的切断片切断，加工成溅射靶的形状，接着，将溅射靶形状的切断片的成为溅射面的平面研磨至期望的表面平滑度。
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