[发明专利]一种金属互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010539400.1 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102468220A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属互连结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中形成有接触区；层间介质层，所述层间介质层形成于所述半导体基底上；导电层，所述导电层贯穿所述层间介质层且电连接于所述接触区，所述导电层包括n层金属层和m层石墨烯层或碳纳米管层，所述金属层和所述石墨烯层或碳纳米管层间隔排列，n、m≥1且n+m≥3。以及，一种金属互连结构的形成方法。利于得到优质的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的形成方法，包括，在半导体基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成贯穿孔和/或凹槽，所述贯穿孔和/或凹槽暴露接触区；在所述贯穿孔和/或凹槽中形成导电层，所述导电层包括n层金属层和m层石墨烯层或碳纳米管层，所述金属层和所述石墨烯层或碳纳米管层间隔排列，n、m≥1且n+m≥3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
