[发明专利]磁阻传感器、磁头、磁头折片组合及硬盘驱动器有效
| 申请号： | 201010539422.8 | 申请日： | 2010-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102456356A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 梁钊明;佐藤一树;小柳洋平;梁卓荣;丁菊仁;倪荣光;关韵妍;莫肇雯 | 申请（专利权）人： | 新科实业有限公司;TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/48;G11B5/127 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻传感器，该磁阻传感器包括第一屏蔽层，第二屏蔽层，形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边，以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其中还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。本发明的磁阻传感器具有较窄的读间隙，从而增强分辨能力并提高读性能；同时，其具有强的纵向偏压磁场，从而保持自身稳定性，增加总的感应面积，进而提高传感器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 磁头 组合 硬盘驱动器 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器，包括：第一屏蔽层；第二屏蔽层；形成于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间的磁阻元件及一对硬磁层，所述硬磁层分别置于所述磁阻元件的两边；以及非磁绝缘层，所述非磁绝缘层形成于所述磁阻元件的远离磁头的空气承载面的一侧；其特征在于：还包括形成于所述第一屏蔽层与所述磁阻元件之间的第一非磁传导层，所述第一非磁传导层嵌入所述第一屏蔽层之中，并与空气承载面相分离。
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