[发明专利]一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法无效
申请号: | 201010539485.3 | 申请日: | 2010-11-09 |
公开(公告)号: | CN102110736A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 杨盛谊;赵娜;邹炳锁 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0256;H01L31/18;C08L25/18;C08L65/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 付雷杰;郭德忠 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法,属于光电探测器技术领域。在ITO玻璃表面旋涂一层PEDOT:PSS空穴注入层,然后真空烘烤;再在PEDOT:PSS空穴注入层上旋涂一层有机活性层;最后真空条件下在有机活性层上蒸镀电极,即得到红外光电探测器。本发明的光电探测器结构简单;能够探测红外波段;PbS胶体量子点的加入降低激子的复合速率,从而增加光电探测器的光电导率;PbS胶体量子点的加入对聚合物具有敏化作用,从而使光电流增加更快;PCBM和MEH-PPV混合物的使用能够形成良好的互穿网络结构,使得光生激子有效地分离并快速传输,复合几率大大降低,光电流明显增大,能量转换效率提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 胶体 量子 红外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于胶体量子点的红外光电探测器,包括氧化铟锡玻璃、PEDOT:PSS空穴注入层、有机活性层和电极;其特征在于:有机活性层包括胶体量子点和有机聚合物;PEDOT:PSS是由PEDOT和PSS两种物质构成,PEDOT是3,4‑乙撑二氧噻吩单体的聚合物,PSS是聚苯乙烯磺酸盐,PEDOT和PSS的质量比为1∶2.5;胶体量子点为吸收峰在红外波段的半导体材料;有机聚合物为MEH‑PPV和PCBM的混合物;其中MEH‑PPV为Poly[2‑methoxy‑5‑(2‑ethylhexyloxy)‑1,4‑phenylenevinylene],PCBM为[6,6]‑Phenyl C61butyric acid methyl ester;胶体量子点、MEH‑PPV和PCBM的质量比为2∶1∶4;电极为功函数小于等于4.3eV的金属电极、多层金属电极或者金属合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010539485.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的