[发明专利]堆叠的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010540727.0 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102468284A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/52;H01L23/535;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种堆叠的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底，以及位于半导体衬底上的多个层面的晶片组件，其中，每一层面的晶片组件包括有源部件和键合部件，其中，有源部件和键合部件分别包括彼此垂直地对齐的贯穿导电通道，使得每一个层面的有源部件利用贯穿导电通道与下一层面/上一层面的有源部件电连接。该半导体器件及其制造方法可以用作FEOL的后继工艺或包含在半导体芯片的封装工艺中，以提供高集成度和高可靠性的三维半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种堆叠的半导体器件，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底上的多个层面的晶片组件，其中，每一层面的晶片组件包括有源部件和键合部件，其中，有源部件和键合部件分别包括彼此垂直地对齐的贯穿导电通道，使得每一个层面的有源部件利用贯穿导电通道与下一层面/上一层面的有源部件电连接。
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