[发明专利]高质量氮化镓系发光二极管无效
| 申请号： | 201010541038.1 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102064254A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧刻蚀有一台面；一n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层远离台面一侧的内部，其上还是n型接触层；一活性发光层，该活性发光层制作在远离台面的n型接触层的上面，并覆盖所述n型接触层的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层上的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧刻蚀有一台面；一n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层远离台面一侧的内部，其上还是n型接触层；一活性发光层，该活性发光层制作在远离台面的n型接触层的上面，并覆盖所述n型接触层的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层上的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。
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