[发明专利]深沟槽衬里去除方法有效
| 申请号： | 201010541047.0 | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102087974A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 文·梁;阿基特若·高 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了深沟槽衬里去除方法，其中基本去除了在沟槽中所形成的共形衬里的多余部分，同时减少或最大程度减小了对沟槽中的块体填充材料的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 衬里 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种衬里去除方法，其包括如下步骤：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽内沉积共形衬里；用块体填充材料填充所述沟槽；和通过交替的在所述块体填充材料的暴露面上形成保护层和蚀刻所述共形衬里，选择性的去除所述共形衬里的多余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
