[发明专利]在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201010541290.2 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102051677A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;魏汝省;胡小波;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00;C30B29/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法，将6H-SiC晶片碳面抛光、清洗，碳面朝上平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托盘中，抽真空度至1×10-7mbar，快速升温至1700-1750℃，通入高纯氩气，然后缓慢升温至1750-1950℃，保温1-10min，完成石墨烯的生长。本发明方法衬底无损伤层，生长出的石墨烯布满整个衬底表面，石墨烯层数可控制在1-10层。该方法简单易行，能制备出高质量石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 sic 面上 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种6H‑SiC碳面上生长石墨烯的方法，包括如下步骤：1)将直径为2‑4英寸的6H‑SiC晶片碳面抛光、清洗，使碳面表面粗糙度小于0.3nm，平整度小于5μm，得厚度为300μm‑400μm的6H‑SiC；2)将步骤1)加工好的6H‑SiC晶片平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托盘中，碳面朝上；单晶生长炉抽真空度至1×10‑7mbar，快速升温至1700‑1750℃，升温速率为50‑100℃/min，通入高纯氩气，流量为1‑10L/min，压力控制在800‑900mbar，然后缓慢升温至1750‑1950℃，升温速率为0.1‑10℃/min，保温1‑10min，完成石墨烯的生长；3)关闭氩气，大流量通氢气，氢气流量为1‑10L/min，压力控制在800‑900mbar，快速降温至1400℃，降温速率为100‑200℃/min；关闭氢气和单晶生长炉，停止加热，自然降温到室温。
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