[发明专利]具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及新能源领域，尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结；晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结。本发明的太阳电池在获得高转换效率和性价比的同时，改善电池光电性能的一致性与稳定性。

主权项

具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，其特征在于：晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP‑、PP+、NN‑或NN+浓度结；所述的硅基半导体膜设置在晶体硅硅片的正面，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米晶膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结。