[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010541572.2 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101985734A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王天兴;杨海刚;宋桂林;夏存军;李超;李苗苗;常方高 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 毋致善 |
| 地址： | 453007 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，本发明涉及一种化合物半导体薄膜的制备方法，本发明目的是提供一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，该制备方法的路线短、容易操作且成膜质量好。本发明的技术方案是，一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，包括基片准备，预溅射，清除基片表面杂质，基片旋转速率，溅射气压，溅射功率，基片温度，后退火处理，铜、铟、镓和硒共溅射沉积，射频溅射的靶基距离为4-8cm，基片温度为240-300℃，溅射功率为10-60W，在氩气保护环境下于540-600℃退火1-2小时。本发明用于制造半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 铜铟镓硒 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铜铟镓硒薄膜的方法，包括基片准备，预溅射，清除基片表面杂质，基片旋转速率，溅射气压，溅射功率，基片温度，后退火处理，其特征在于：铜、铟、镓和硒共溅射沉积，射频溅射的靶基距离为4‑8cm，基片温度为240‑300℃，溅射功率为10‑60W，在氩气保护环境下于540‑600℃退火1‑2小时。
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