[发明专利]形成多个电容器的方法有效
| 申请号： | 201010541963.4 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102064093A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;马克·D·杜尔詹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包含形成多个电容器的方法。在一个实施方案中，形成多个电容器的方法包含在衬底上的电容器阵列区域内提供多个电容器电极。所述电容器电极包括外部横向侧壁。所述多个电容器电极至少部分由保持结构(40)支撑，所述保持结构(40)与所述外部横向侧壁啮合。所述保持结构(40)至少部分通过以下方式形成：对所述电容器阵列区域内任何位置处未进行掩盖的材料层(36)进行蚀刻以形成所述保持结构。将所述多个电容器电极并入多个电容器中。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种形成多个电容器的方法，其包括：在衬底上的电容器阵列区域内提供多个电容器电极，所述电容器电极包括外部横向侧壁；形成保持结构，其与所述电容器电极的所述外部横向侧壁啮合，所述保持结构至少部分通过以下方式形成：对所述电容器阵列区域内任何位置处未进行掩盖的材料层进行蚀刻以形成所述保持结构；且进一步包括在形成所述保持结构之后，蚀刻所述保持结构以减小其尺寸，所述经蚀刻的保持结构至少部分地支撑所述多个电容器电极；以及将所述多个电容器电极并入多个电容器中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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