[发明专利]一种测量电荷的装置及方法无效
| 申请号： | 201010543212.6 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102468273A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种测量电荷的装置及方法，该装置包括：至少一个PMOS管，其有效工作区由N阱、P+源极、P+漏极、介质层和栅极组成，其中互不导通的P+源极和P+漏极位于N阱上，栅极通过介质层与P+源极和P+漏极隔开；至少一个NMOS管，其有效工作区由P阱、N+源极、N+漏极、介质层和栅极组成，其中互不导通的N+源极和N+漏极位于P阱上，栅极通过介质层与N+源极和N+漏极隔开。该方法包括：通过分别测量PMOS管和NMOS管的阈值电压，将测得的PMOS管和NMOS管的阈值电压与对应的基准阈值电压比较，根据比较结果确定介质层中的电荷情况。采用本发明能够直接检测出晶圆上被测区域的介质层中电荷情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 电荷 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种测量电荷的装置，其特征在于，该装置包括：至少一个PMOS管，其有效工作区由N阱、P+源极、P+漏极、介质层和栅极组成，其中，互不导通的P+源极和P+漏极位于N阱上，栅极通过介质层与P+源极和P+漏极隔开；至少一个NMOS管，其有效工作区由P阱、N+源极、N+漏极、介质层和栅极组成，其中，互不导通的N+源极和N+漏极位于P阱上，栅极通过介质层与N+源极和N+漏极隔开。
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