[发明专利]一种异质结势垒变容管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种异质结势垒变容管及其制备方法，属于微波器件中变容管技术领域。所述变容管包括从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的两个台阶结构，以及从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的一个台阶结构，三个台阶结构上覆盖有介质层，介质层上设有引线和PAD。本发明异质结势垒变容管中PAD处在衬底层与接触金属形成台阶上，连接引线采用爬坡形式将PAD与阴阳极分别连接，避免了复杂的空气桥结构，制作简便，易于实现。

主权项

一种异质结势垒变容管，其特征在于，所述变容管包括GaAs衬底，位于所述GaAs衬底上的重掺杂GaAs沟道层，位于所述重掺杂GaAs沟道层上的至少一个异质结势垒结构，位于所述至少一个异质结势垒结构上的重掺杂GaAs帽层，位于所述重掺杂GaAs帽层上的阳极和阴极，所述变容管在靠近阳极远离阴极的一端具有一从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的第一台阶结构，所述变容管在阳极和阴极之间具有一从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的第二台阶结构，所述变容管在靠近阴极远离阳极的一端具有一从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的第三台阶结构，所述第一台阶结构、第二台阶结构和第三台阶结构上覆盖有介质层，所述第一台阶结构和第三台阶结构的上台阶阶面和侧壁处的介质层上设有引线，所述第一台阶结构和第三台阶结构的下台阶阶面处的介质层上设有PAD。